Gdańsk Politechnika

Narutowicza 11/12

 
 

TWÓJ KOSZYK

Koszyk jest pusty
 
ksiazka tytuł: Behawioralne modelowanie tranzystorów IGBT do symulacji układów energoelektronicznych autor: Marek Turzyński
DOSTAWA WYŁĄCZNIE NA TERYTORIUM POLSKI

FORMY I KOSZTY DOSTAWY
  • 0,00 zł
  • 9,90 zł
  • 11,00 zł

Behawioralne modelowanie tranzystorów IGBT do symulacji układów energoelektronicznych

Monografie 121
Wersja papierowa
Wydawnictwo: Wydawnictwo Politechniki Gdańskiej
ISBN: 978-83-7348-416-0
Liczba stron: 126
Oprawa: Miękka
Wydanie: 2012 r.
Język: polski

Dostępność: aktualnie niedostępny
25,10 zł 24,60 zł
Powiadom, gdy będzie dostępny
 
Powiadomienie o dostępności towaru
Obrazek ochronny
 

W referacie przedstawiono rezultaty prac nad modelem tranzystora bipolarnego z izolowaną bramką (IGBT), przydatnym w symulacjach układów energoelektronicznych wymagających odwzorowania zarówno stanów ustalonych jak i dynamicznych przy przełączaniu. Rozważono behawioralny model IGBT o reprezentacji za pomocą równań stanu przy wykorzystaniu katalogowych charakterystyk statycznych oraz nieliniowych aproksymacji pojemności pasożytniczych. Eksperymentalne testy modelu IGBT typu BUP203 wykonano w układzie przerywacza z pojedynczym tranzystorem.

Spis treści:
1. Wstęp
2. Modele tranzystorów IGBT
3. Behawioralny model tranzystora IGBT
4. Badania symulacyjne i eksperymentalne modelu
5. Podsumowanie i wnioski

 

Newsletter

Newsletter
Zapisz Wypisz

Klikając "Zapisz" zgadzasz się na przesyłanie na udostępniony adres e-mail informacji handlowych, tj. zwłaszcza o ofertach, promocjach w formie dedykowanego newslettera.

Płatności

Kanały płatności

Księgarnia PWN Gdańsk akceptuje płatności:

  • płatność elektroniczna eCard (karta płatnicza, ePrzelew)
  • za pobraniem - przy odbiorze przesyłki należność pobiera listonosz lub kurier