W referacie przedstawiono rezultaty prac nad modelem tranzystora bipolarnego z izolowaną bramką (IGBT), przydatnym w symulacjach układów energoelektronicznych wymagających odwzorowania zarówno stanów ustalonych jak i dynamicznych przy przełączaniu. Rozważono behawioralny model IGBT o reprezentacji za pomocą równań stanu przy wykorzystaniu katalogowych charakterystyk statycznych oraz nieliniowych aproksymacji pojemności pasożytniczych. Eksperymentalne testy modelu IGBT typu BUP203 wykonano w układzie przerywacza z pojedynczym tranzystorem.

Spis treści:
1. Wstęp
2. Modele tranzystorów IGBT
3. Behawioralny model tranzystora IGBT
4. Badania symulacyjne i eksperymentalne modelu
5. Podsumowanie i wnioski